Linh kiện và mô-đun silic cacbua

Giới thiệu sản phẩm

SiC MOSFET

Trong quá trình phát triển và ứng dụng của MOSFET SiCsoikeo, so với MOSFET Si cùng cấp công suất, điện trở dẫn và tổn hao chuyển mạch của MOSFET SiC giảm đáng kể, cho phép hoạt động ở tần số cao hơn. Ngoài ra, nhờ khả năng làm việc ở nhiệt độ cao, MOSFET SiC mang lại độ ổn định nhiệt tốt hơn rất nhiều.

Điốt silicon cacbua

Không có điện tích phục hồi ngượcsoikeo, tổn hao chuyển mạch gần như bằng không. Nhiệt độ làm việc cao (Tjmax=175℃), đặc tính chuyển mạch ít bị ảnh hưởng bởi sự thay đổi nhiệt độ. Đặc tính vật liệu giúp dễ dàng đạt được điện áp đột phá cao hơn. Điều này giúp cải thiện hiệu suất hệ thống và mật độ công suất, đồng thời tăng cường độ tin cậy của hệ thống.

Mô-đun công suất silicon cacbua

MOSFET SiC sở hữu độ tin cậy cao trong lớp oxit gateđại lý bóng đá, đặc tính chuyển mạch xuất sắc và tổn hao dẫn thấp. Khả năng chịu nhiệt và tần số chuyển mạch cao giúp nâng cao hiệu suất tổng thể của hệ thống. Thiết kế nhỏ gọn, nhẹ hơn, giảm số lượng linh kiện, từ đó cải thiện độ tin cậy hệ thống. Dòng sản phẩm module công suất có nhiều cấu hình khác nhau như nửa cầu, sixpack… phù hợp với nhiều thiết kế ứng dụng.

Các lĩnh vực ứng dụng silicon cacbua

Ứng dụng bộ nguồn LED
Ứng dụng PFC điều hòa không khí
Ứng dụng bộ nguồn máy chủsoikeo, bộ nguồn viễn thông, bộ nguồn PC
Ứng dụng MPPT năng lượng mặt trời
Ứng dụng liên quan đến xe điện
Ứng dụng trạm sạc xe điện
SiC applications – 3.3KW/6.6KW OBC
SiC applications – 11KW/22KW OBC
Bộ biến tần xe điện
Trong tương laiđại lý bóng đá, xe điện sẽ cần ngày càng nhiều các bán dẫn dải cấm rộng như silicon carbide (SiC). Xe điện chính là động lực lớn nhất cho sự phát triển của SiC trên thị trường.

Danh sách sản phẩm

Part No.	Package	Vds_ max (V)	Rds(on)(mΩ)_25°C	Vth_ typ.(V)	Vgs_ max.(V)	Qg_ Vgs=10V (nC)	Qgd (nC)	IDS_ Max(A)	Status
			Vg=10V
			Max
SCHA2N030JN-AA	TO247-4	1200	42	2.6	-8/+22	150	53.6	63	Developing
SCHA2N040JN-AA	TO247-4	1200	56	3	-8/+22	62	14	57	Sample available
SCAA2N011JN-AA	TO247-4	1200	21	2.6	-8/+19				Developing
SCHA7N1K0WN-AA	TO247-3	1700	1400	2.8	-8/+19	7.4	2.5	5	Developing
SCHA7N3K0WN-AA	TO247-3	1700	1600	2.8	-8/+19	3	1	2	Developing
SCH65N027QN-AA	TOLL2-8	650	38(Vg=18V)	2.8	-10/+22	91	21	84	Developing
SCH65N040QN-AA	TOLL2-8	650	56(Vg=18V)	2.8	-10/+22	65	19	52	Developing
SCH65N045QN-AA	TOLL2-8	650	63(Vg=18V)	2.8	-10/+22	56	15	50	Developing
SCH65N060QN-AA	TOLL2-8	650	80(Vg=18V)	2.8	-10/+22	38	9	41	Developing