MOSFET rãnh có lớp chắn

Giới thiệu sản phẩm

Các sản phẩm MOSFET kiểu rãnh được che chắn có khả năng cân bằng điện tíchsoi keo hom nay, giúp cải thiện toàn diện các đặc tính chuyển mạch và dẫn điện của linh kiện, đồng thời giảm thiểu điện trở dẫn đặc trưng và điện tích cổng.

Công nghệ rãnh sâu được che chắn đã nâng cao đáng kể đặc tính nhiệt độ của điện trở dẫnđại lý bóng đá, kiểm soát hiệu quả mức độ gia tăng điện trở dẫn khi nhiệt độ tăng, từ đó tăng cường đáng kể khả năng chịu dòng và chống xung trong điều kiện nhiệt độ cao, phù hợp hơn với môi trường nóng bức.

Kết hợp với công nghệ đóng gói tiên tiếnđại lý bóng đá, công nghệ rãnh được che chắn hướng đến việc nâng cao hiệu suất hệ thống và mật độ công suất trong quá trình chuyển đổi điện năng của các linh kiện MOSFET, đồng thời đảm bảo khả năng chống xung trong quá trình chuyển mạch trong điều kiện khắc nghiệt, mang lại quản lý nguồn điện và điều khiển động cơ nhanh chóng, ổn định và hiệu quả.

Đặc điểm và lợi ích

Đặc điểm và lợi ích
Điện trở dẫn cực thấp
FOM cực thấp
Khả năng dòng điện mạnh hơn ở nhiệt độ cao
Đặc tính điốt cơ bản phục hồi nhanh và mềm
Crss/Ciss thấpđại lý bóng đá, tăng khả năng chống nhiễu điện từ
Khả năng chịu UIS caoban ca thuong, 100

Lĩnh vực ứng dụng

Lĩnh vực ứng dụng
Bộ chỉnh lưu đồng bộ nguồn xoay chiều và một chiều
Điều khiển động cơ một chiều
Mạch bảo vệ sạc pin
Bộ biến tần
Bộ chuyển đổi một chiều cách ly
Nguồn dự phòng

Danh sách sản phẩm