MOSFET siêu kết

Document

Giới thiệu sản phẩm

Công nghệ MOSFET siêu kết cấu được cải tiến thông qua thiết kế cấu trúc linh kiện hiện đại và ứng dụng các quy trình sản xuất tiên tiếnVSBET, giúp nâng cao đáng kể hiệu suất của sản phẩm. Thiết bị này sở hữu tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, tổn hao dẫn điện thấp hơn và điện tích cổng cực kỳ nhỏ, từ đó giảm thiểu tổn hao công suất và tăng hiệu quả hệ thống một cách toàn diện.

Ưu điểm và lợi thế

Dòng sản phẩm siêu kết cấu được trang bị khả năng chịu đựng xung sét (avalanche) và chống tĩnh điện (ESD) vượt trộimua the cao, đảm bảo độ tin cậy cao hơn trong quá trình vận hành. Đồng thời, đặc tính chuyển mạch của linh kiện cũng được tối ưu hóa, mang lại hiệu suất EMI tốt hơn trong các ứng dụng hệ thống, giúp thiết kế hệ thống có thêm nhiều khoảng dự phòng để đạt được hiệu quả hoạt động ổn định và bền bỉ.

Lĩnh vực ứng dụng

Nguồn điện viễn thôngVSBET, trạm sạc xe điện, lưu trữ năng lượng.

Danh sách sản phẩm

Part No. & Sách thông số sản phẩm	Package	Vds_ max (V)	Rds(on)(mΩ)_25°C	Vth_ typ.(V)	Vgs_ max.(V)	Qg_ Vgs=10V (nC)	Qgd (nC)	I DS _ Max(A)	Status
			Vg=10V
			Max
SDH65N070WF-AA	TO247-3	650	70	4	±30	76	26	43	Release
SDH65N070QF-AA	TOLL2-8	650	70	4	±30	76	26	43	Sample available
SJH65N030WF-AA	TO247-3	650	30	4	±30	230	86	85	ES Ready
SJN65N180PH-AA	TO220F-3	650	180	4	±30	47.2	17.6	20	ES Ready
SJN65N280PH-AA	TO220F-3	650	280	4	±30	30.3	11.6	13.8	ES Ready
SJN65N360PH-AA	TO220F-3	650	360	4	±30	23.7	8.5	11	ES Ready
SJN65N580PH-AA	TO220F-3	650	580	4	±30	16	7	8	ES Ready
SJN65N180YH-AA	TO220SF-3	650	180	4	±30	47.2	17.6	20	ES Ready
SJN65N280YH-AA	TO220SF-3	650	280	4	±30	30.3	11.6	13.8	ES Ready
SJN65N360YH-AA	TO220SF-3	650	360	4	±30	23.7	8.5	11	ES Ready
SJN65N180SH-AA	DFN8*8-4	650	180	4	±30	47.2	17.6	20	ES Ready
SJN65N360DH-AA	TO252-3	650	360	4	±30	23.7	8.5	11	ES Ready
SJN65N580DH-AA	TO252-3	650	580	4	±30	16	7	8	ES Ready
SJH65N065WH-AA	TO247-3	650	65	4	±30	53	12	47	ES Ready