MOSFET siêu kết

Document

Giới thiệu sản phẩm

Công nghệ MOSFET siêu kết cấu được cải tiến thông qua thiết kế linh kiện tinh vi và sử dụng các quy trình sản xuất hiện đạiVSBET, giúp nâng cao hiệu suất của sản phẩm. Thiết bị này sở hữu tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, tổn thất dẫn điện thấp hơn, cũng như điện tích cổng cực kỳ nhỏ, từ đó giảm thiểu tổn hao công suất và tăng cường hiệu quả hệ thống.

Ưu điểm và lợi thế

Dòng sản phẩm siêu kết cấu được trang bị khả năng chịu đựng xung điện tốt hơn và khả năng chống tĩnh điện (ESD) mạnh mẽtỷ lệ ngoại hạng anh, giúp tăng cường độ tin cậy trong quá trình ứng dụng. Đồng thời, các đặc tính chuyển mạch của linh kiện cũng được tối ưu hóa, mang lại hiệu suất EMI vượt trội trong hệ thống, tạo ra không gian dư thừa lớn hơn cho việc thiết kế hệ thống.

Lĩnh vực ứng dụng

Nguồn điện viễn thôngtỷ lệ ngoại hạng anh, trạm sạc xe điện, lưu trữ năng lượng.

Danh sách sản phẩm

Part No. & Sách thông số sản phẩm	Package	Vds_ max (V)	Rds(on)(mΩ)_25°C	Vth_ typ.(V)	Vgs_ max.(V)	Qg_ Vgs=10V (nC)	Qgd (nC)	I DS _ Max(A)	Status
			Vg=10V
			Max
SDH65N070WF-AA	TO247-3	650	70	4	±30	76	26	43	Release
SDH65N070QF-AA	TOLL2-8	650	70	4	±30	76	26	43	Sample available
SJH65N030WF-AA	TO247-3	650	30	4	±30	230	86	85	ES Ready
SJN65N180PH-AA	TO220F-3	650	180	4	±30	47.2	17.6	20	ES Ready
SJN65N280PH-AA	TO220F-3	650	280	4	±30	30.3	11.6	13.8	ES Ready
SJN65N360PH-AA	TO220F-3	650	360	4	±30	23.7	8.5	11	ES Ready
SJN65N580PH-AA	TO220F-3	650	580	4	±30	16	7	8	ES Ready
SJN65N180YH-AA	TO220SF-3	650	180	4	±30	47.2	17.6	20	ES Ready
SJN65N280YH-AA	TO220SF-3	650	280	4	±30	30.3	11.6	13.8	ES Ready
SJN65N360YH-AA	TO220SF-3	650	360	4	±30	23.7	8.5	11	ES Ready
SJN65N180SH-AA	DFN8*8-4	650	180	4	±30	47.2	17.6	20	ES Ready
SJN65N360DH-AA	TO252-3	650	360	4	±30	23.7	8.5	11	ES Ready
SJN65N580DH-AA	TO252-3	650	580	4	±30	16	7	8	ES Ready
SJH65N065WH-AA	TO247-3	650	65	4	±30	53	12	47	ES Ready