MOSFET siêu kết

Document


Giới thiệu sản phẩm

Công nghệ MOSFET siêu kết cấu được cải tiến thông qua thiết kế linh kiện tinh vi và sử dụng các quy trình sản xuất hiện đạiVSBET, giúp nâng cao hiệu suất của sản phẩm. Thiết bị này sở hữu tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, tổn thất dẫn điện thấp hơn, cũng như điện tích cổng cực kỳ nhỏ, từ đó giảm thiểu tổn hao công suất và tăng cường hiệu quả hệ thống.


Ưu điểm và lợi thế

Dòng sản phẩm siêu kết cấu được trang bị khả năng chịu đựng xung điện tốt hơn và khả năng chống tĩnh điện (ESD) mạnh mẽtỷ lệ ngoại hạng anh, giúp tăng cường độ tin cậy trong quá trình ứng dụng. Đồng thời, các đặc tính chuyển mạch của linh kiện cũng được tối ưu hóa, mang lại hiệu suất EMI vượt trội trong hệ thống, tạo ra không gian dư thừa lớn hơn cho việc thiết kế hệ thống.


Lĩnh vực ứng dụng

Nguồn điện viễn thôngtỷ lệ ngoại hạng anh, trạm sạc xe điện, lưu trữ năng lượng.



Danh sách sản phẩm

Part   No. & Sách thông số sản phẩm Package Vds_
max (V)
Rds(on)(mΩ)_25°C

Vth_

typ.(V)

Vgs_
max.(V)
Qg_     Vgs=10V
(nC)
Qgd
(nC)
I DS _
Max(A)
Status
Vg=10V
Max

SDH65N070WF-AA

TO247-3 650 70 4 ±30 76 26 43 Release
SDH65N070QF-AA TOLL2-8 650 70 4 ±30 76 26 43 Sample   available
SJH65N030WF-AA TO247-3 650 30 4 ±30 230 86 85 ES   Ready
SJN65N180PH-AA TO220F-3 650 180 4 ±30 47.2 17.6 20 ES   Ready
SJN65N280PH-AA TO220F-3 650 280 4 ±30 30.3 11.6 13.8 ES   Ready
SJN65N360PH-AA TO220F-3 650 360 4 ±30 23.7 8.5 11 ES   Ready
SJN65N580PH-AA TO220F-3 650 580 4 ±30 16 7 8 ES   Ready
SJN65N180YH-AA TO220SF-3 650 180 4 ±30 47.2 17.6 20 ES   Ready
SJN65N280YH-AA TO220SF-3 650 280 4 ±30 30.3 11.6 13.8 ES   Ready
SJN65N360YH-AA TO220SF-3 650 360 4 ±30 23.7 8.5 11 ES   Ready
SJN65N180SH-AA DFN8*8-4 650 180 4 ±30 47.2 17.6 20 ES   Ready
SJN65N360DH-AA TO252-3 650 360 4 ±30 23.7 8.5 11 ES   Ready
SJN65N580DH-AA TO252-3 650 580 4 ±30 16 7 8 ES   Ready
SJH65N065WH-AA TO247-3 650 65 4 ±30 53 12 47 ES   Ready