Công nghệ MOSFET siêu kết hợp được cải tiến thông qua thiết kế cấu trúc linh kiện và sử dụng các quy trình sản xuất tiên tiếnbảng xếp hạng ngoại hạng anh, từ đó nâng cao đáng kể hiệu suất của sản phẩm. Thiết bị này sở hữu tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, tổn thất dẫn điện thấp hơn và điện tích cổng cực kỳ nhỏ, giúp giảm thiểu tổn thất công suất và tăng hiệu suất hệ thống.

Dòng sản phẩm MOSFET rãnh có lớp cách điện được thiết kế với khả năng cân bằng điện tíchtỷ lệ ngoại hạng anh, giúp cải thiện toàn diện đặc tính chuyển mạch và đặc tính dẫn điện của linh kiện. Đồng thời, nó cũng làm giảm điện trở dẫn điện đặc trưng và điện tích cổng của thiết bị.

Trong quá trình phát triển và ứng dụng MOSFET SiCbảng xếp hạng ngoại hạng anh, so với MOSFET Si cùng cấp công suất, MOSFET SiC có điện trở dẫn điện và tổn thất chuyển mạch giảm mạnh, phù hợp cho tần số hoạt động cao hơn. Ngoài ra, nhờ vào khả năng làm việc ở nhiệt độ cao, thiết bị này mang lại độ ổn định nhiệt độ tốt hơn rất nhiều.

Bộ sạc chuyển mạch (Switching Charger): Phù hợp với việc sạc pin lithium cho các ứng dụng như viễn thông di độngtỷ lệ ngoại hạng anh, hỗ trợ nhiều cấu trúc pin từ 1 cell đến 4 cell. Bộ sạc tụ điện (Switched Capacitor Charger): Bộ chuyển đổi DC-DC hiệu quả cao, thích hợp cho sạc nhanh trên thiết bị di động, giúp giảm đáng kể hiện tượng nóng trong quá trình sạc và rút ngắn thời gian sạc. Bộ đếm nhiên lượng (Fuel Gauge): Đo lường và theo dõi chính xác dung lượng pin dựa trên nhiều yếu tố như sự suy giảm của pin, nhiệt độ xung quanh, tốc độ phóng điện, cung cấp thông tin chính xác về dung lượng pin và thời gian phóng điện trong nhiều điều kiện khác nhau.